中國電子55納米工藝嵌入式閃存智能卡芯片達國際領先水平
文章來源：規劃發展局 發布時間：2016-10-27
目前，全球智能卡芯片市場需求巨大,競爭激烈，而當前國內主流智能卡工藝仍然停留在較低的130納米水平，相比國際上主流的90納米存在一定的差距。國內芯片公司為了更好參與國際競爭，必須提供更有競爭力的產品。
中國電子與國內半導體生產廠商進行戰略合作，積極組織研發力量，合作開發基于55納米工藝的智能卡芯片產品，取得了多項成就。一是將閃存生產工藝嵌入到55納米邏輯工藝中，解決了嵌入式閃存工藝流程復雜和高深寬比溝槽隔離等難題，提升了存儲器件電學特性和可靠性，擦寫可靠性達25年/50萬次。二是通過集成電路設計創新，提高了55納米工藝智能卡芯片產品模擬電路系統的精度、魯棒性和抗干擾性，保證了產品高良品率、高可靠性和大規模生產健壯性。三是通過工藝集成創新，成功實現了與55納米純邏輯工藝平臺百分之百兼容，所有尺寸的邏輯核心器件和輸入輸出器件電學參數保持不變，實現邏輯工藝庫和IP的復用。四是實現了可靠性測試方法創新，通過軟件增強可靠性方法、圓片級可靠性測試和產品級可靠性測試等評價方法，保證了產品質量和一年半開發周期，確保產品快速上市。相關產品是全球智能卡領域第一個實現了大規模穩定量產的55納米智能卡芯片產品，良品率穩定在97%以上。
該項目取得包括國際專利在內的發明專利10項，軟件著作權1項，集成電路布圖3項，帶動了芯片制造、芯片測試與封裝、模塊封裝與測試、成卡測試與封裝等產業鏈上多個環節的自主快速發展，滿足了國內4G通訊激增的換卡需求，具有顯著的經濟和社會效益。
附圖：55納米嵌入式閃存智能卡芯片
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